韩名君、女、博士、讲师
研究方向:半导体器件建模、半导体材料计算
工作经历(教育背景)：
(1) 2010-09 至 2014-06, 安徽大学, 微电子学与固体电子学, 博士
(2) 2006-09 至 2009-06, 安徽大学, 电路与系统, 硕士
(3) 1999-09 至 2003-06, 304永利集团, 电子信息工程, 学士
(4) 2014-08 至 今, 304永利集团工作, 电气工程公司(304永利集团）教师, 讲师
教学/科研成果：
(1) 韩名君; 柯导明; 迟晓丽; 王敏; 王保童 ; 超短沟道MOSFET电势的二维半解析模型, Acta Physica Sinica, 2013, (09): 477-484 (期刊论文)
(2) 韩名君; 柯导明; 王保童; 王敏; 徐春夏 ; 亚阈值下MOSFET氧化层和空间电荷区的二维电势解析模型, 电子学报, 2013, (11): 2237-2241 (期刊论文)
(3) 韩名君; 柯导明 ; 超浅结亚45nm MOSFET亚阈值区二维电势模型, 电子学报, 2015, (01): 94-98 (期刊论文)
(4) 韩名君; 代广珍; 倪天明 ; 基于半解析法的FinFET三维电势和阈值电压模型, 山东师范大学学报(自然科学版), 2021, 36(04): 381-389 (期刊论文)
(5) Zhang Yan; Lou Ke; Liu Shilin; Han Mingjun; Ge Yuan ; Stability analysis for time-delay Markovian jump systems with partial information on transition probabilities, Proceedings of the 37th Chinese Control Conference , 湖北武汉, 2018-7-25至2018-7-27 (会议论文)
(6) WenjuanLi; Mingjun Han; Xingwen Song; Guangzhen Dai; Tianming Ni; Study on the characteristics and application of voltage-controoled inverse memristor, CAC2022.